Quelle est la différence entre un débordement de pile et de dépassement de tampon?
Quelle est la différence entre le dépassement de pile et de dépassement de tampon dans la Programmation ?
- Fait intéressant, un débordement de pile est un cas particulier de débordement de la mémoire tampon. :hmm:
- il il .. Débordement de Pile reefers de site web, Débordement de la mémoire Tampon n'est pas ...
- Ruport Pourquoi en serait-il sur Meta?
InformationsquelleAutor joe | 2009-07-13
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Débordement de pile se réfère spécifiquement pour le cas lorsque la pile d'exécution croît au-delà de la mémoire qui lui est réservé. Par exemple, si vous appelez une fonction qui appelle de manière récursive lui-même, sans résiliation, vous allez provoquer un débordement de pile que chaque appel de fonction crée un nouveau cadre de pile et la pile finira par consommer plus de mémoire que lui est réservé.
Débordement de la mémoire tampon se réfère à tous les cas dans lesquels un programme écrit au-delà de la fin de la mémoire allouée pour une mémoire tampon (y compris sur le tas, et pas seulement sur la pile). Par exemple, si vous écrivez passé la fin d'un tableau alloué dans le tas, vous avez causé un débordement de la mémoire tampon.
La différence clé est de savoir la différence entre la pile et un tampon.
La pile est l'espace réservé pour l'exécution du programme à exécuter. Lorsque vous appelez une fonction, c'est le paramètre et retourner les infos sont placées sur la pile.
Un tampon est un générique de chunck de mémoire est utilisée pour un seul but. Par exemple, une chaîne de caractères est un tampon. Il peut être plus géré par l'écriture des données plus à la chaîne de ont été alloués à.
Débordement de pile: vous avez mis trop de choses sur la pile de la mémoire allouée pour le thread courant
Débordement de la mémoire tampon: Vous avez dépassé la taille de votre tampon alloué et n'ont pas redimensionnée à l'ajustement (ou ne peut pas redimensionner les plus loin).
Plus que ce que vous voulez probablement savoir ici:
Un Débordement De Pile
Débordement De La Mémoire Tampon
Un stackoverflow est lorsque la taille de la pile d'un thread dépasse la limite maximale de la taille de la pile pour que le thread.
Un dépassement de la mémoire tampon, c'est quand une valeur est écrite dans la mémoire qui n'est pas actuellement alloués par le programme.
Débordement de la mémoire tampon en général défend de tout temps une mémoire tampon est accessible au-delà de ses limites si la pile ou le tas. Un débordement de pile signifie que la pile a dépasser c'est allouée limite et sur la plupart des machines/systèmes d'exploitation s'exécute sur le tas.
Ne pas vous dire "quelle est la différence entre une pile et un tampon?" -- qui va vous conduire à plus de perspicacité plus rapidement. Une fois que vous avez obtenu qu'à présent, alors vous pouvez penser ce que signifie dépassement de chacune de ces choses.
1. Basée Sur La Pile De Dépassement De Mémoire Tampon
• Se produire lorsqu'un programme écrit à une adresse de mémoire sur le programme de la pile des appels de l'extérieur de la destinée structure de données – correction de la longueur de la mémoire tampon.
• Caractéristiques de la pile en fonction de la programmation
1. La “pile” est un espace de mémoire dans lequel les variables automatiques sont alloués.
2. Paramètres de la fonction sont allouées sur la pile et ne sont pas initialisés automatiquement par le système, de sorte qu'ils ont des ordures jusqu'à ce qu'ils sont initialisés.
3. Une fois qu'une fonction a terminé son cycle, la référence à la variable dans la pile est retirée. (j'.e si la fonction est appelée plusieurs fois, ses variables locales et les paramètres sont recréés et détruit chaque fois que la fonction est appelée et il est sorti.)
• L'attaquant d'exploiter de pile, les dépassements de mémoire tampon pour manipuler le programme de diverses manières par l'écrasement
1. Une variable locale qui est à proximité de la mémoire tampon dans la pile à changer le comportement du programme qui pourraient profiter à l'attaquant.
2. Adresse de retour dans un cadre de pile. Une fois que la fonction renvoie, l'exécution reprend à l'adresse de retour, comme spécifié par l'attaquant, généralement une entrée de l'utilisateur rempli de tampon.
3. Un pointeur de fonction, ou gestionnaire d'exception, qui est exécuté par la suite.
• Les facteurs de surmonter les exploits sont
1. Des octets nuls dans les adresses
2. La variabilité dans l'emplacement de la coquille code
3. Les différences entre l'environnement de Shell code est un petit morceau de code utilisé dans l'exploitation de la vulnérabilité de logiciel.
2. Tas De Débordement De La Mémoire Tampon
• Se produit dans le tas de zone de données.
• Dépassement de capacité se produit lorsqu'une application copies plus de données dans une mémoire tampon de la mémoire tampon a été conçu.
• Vulnérables à l'exploitation, si elle copie les données de tampon sans d'abord vérifier que la source de l'intégrer dans la destination.
• Caractéristiques de la pile et le tas de programmation basé sur:
• “En tas”, est une “boutique” qui est la mémoire de l'espace, quand les objets dynamiques sont alloués.
• Le segment est l'espace mémoire alloué dynamiquement new(), la fonction malloc(), et calloc() les fonctions.
• De créer dynamiquement des variables (j'.e les variables déclarées) sont créés sur le tas avant l'exécution et stockées dans la mémoire jusqu'à ce que le cycle de vie de l'objet est terminé.
• L'Exploitation est effectuée
• Par la corruption des données pour remplacer les structures internes, tels que linked liste de pointeurs.
• Pointeur change pour remplacer le programme de la fonction
La plupart des gens qui mentionne les dépassements de mémoire tampon moyenne de la pile oveflows. Cependant, les débordements peuvent se produire dans toute zone qui n'est pas seulement limitée à la pile. Comme le tas ou bss. Un débordement de pile est limitée à écraser l'adresse de retour sur la pile, mais une normale de débordement qui permet de ne pas écraser l'adresse de retour vous sera probablement juste de remplacer d'autres variables locales.
Laissez-moi vous expliquer de façon plus simple avec le diagramme de RAM. Avant de sauter dedans, je suggère la lecture sur structure de pile, Tas de la Mémoire.
Comme vous pouvez le voir, la Pile grandit vers le bas (montré par la flèche) en supposant que c'est la pile. Le code du noyau, le texte, les données sont des données statiques, de sorte qu'ils sont fixes. Le tas de la partie dynamique pousse vers le haut (montré par la flèche).